一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术

摘要

本发明属于半导体光电探测器技术领域，涉及一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层表面上增加透明导电的薄膜层，透明导电的薄膜层(TC)与探测器前表面的掩膜层(O)和掩膜层下面的半导体(S)构成TCOS结构的新光电探测器结构；并在透明导电的薄膜层上施加电压作为半导体光电探测器工作的辅助电压，以改变半导体表面电势，表面能带和表面空间电荷区，降低半导体表面附近光生少数载流子的有效表面复合速率，和消除“死层”区域，使大多数的短波光生少数载流子被收集成光生电流，提高了半导体光电探测器短波响应。特别是，该技术能有效地提高硅半导体蓝绿光电探测器，或蓝紫光电探测器的短波响应度。

主权项

一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质层表面上增加透明的导电薄膜层，并在透明的导电薄膜层上施加半导体光电探测器工作的辅助电压。