发明名称 |
一种半导体光电器件的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体光电器件的制备方法,包括以下步骤:1)、选择一种衬底;2)、用外延、结晶、溅射、蒸镀、旋涂、粘结、焊接、键合、化学腐蚀或刻蚀的方法在衬底上制得半导体同质结或异质结;3)、在半导体同质结或异质结的顶端或底端生成有电极,使衬底、半导体同质结或异质结与电极构成整个半导体器件。本发明可以提供多种带宽的半导体节,可以覆盖较宽的工作光谱范围,而且制备于不同的有特殊结构的衬底之上,把平面膜结构和纳米线的制备长处、工作特性上的优势结合在一起,以实现功能更广泛的半导体光电器件结构。 |
申请公布号 |
CN102376817A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201010251433.6 |
申请日期 |
2010.08.11 |
申请人 |
王浩 |
发明人 |
王浩 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州市红荔专利代理有限公司 44214 |
代理人 |
黄大宇 |
主权项 |
一种半导体光电器件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)、选择一种衬底(1);2)、用外延、结晶、溅射、蒸镀、旋涂、粘结、焊接、键合、化学腐蚀或刻蚀的方法在衬底(1)上制得半导体同质结或异质结(2);3)、在半导体同质结或异质结的顶端或底端生成有电极(3),使衬底、半导体同质结或异质结(2)与电极(3)构成整个半导体器件。 |
地址 |
510631 广东省广州市广州华南师范大学教师村F-1004 |