| 发明名称 | 降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法，在外延工艺之前，通过离子注入工艺在衬底中形成阻挡层，阻挡层的上表面与埋层的上表面为同一高度或更高。本发明可以显著降低衬底中有埋层的情况下进行外延工艺时，自掺杂和外扩散对外延层生长所带来的不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102376548A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010265205.4 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 缪燕;谢烜 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种降低外延工艺中自掺杂与外扩散的方法，其特征是，在外延工艺之前，通过离子注入工艺在衬底中形成阻挡层，阻挡层的上表面与埋层的上表面为同一高度或更高。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||