集成电路组件及其制作方法

摘要

本发明揭露数种集成电路组件的制作方法与集成电路组件。一种示范方法包含：提供基材，此基材具有组件区与对准区；形成第一材料层于基材上方；形成组件特征与虚设特征于第一材料层中，其中组件特征形成在组件区中，虚设特征形成在对准区中；形成第二材料层于第一材料层的上方；以及形成对准特征于第二材料层中，此对准特征设置在对准区中的虚设特征的上方。组件特征具有第一尺寸，虚设特征具有第二尺寸，第二尺寸小于对准标记侦测器的分辨率。

主权项

一种集成电路组件的制作方法，其特征在于，包含：提供一基材，该基材具有一组件区与一对准区；形成一第一材料层于该基材上方；形成一组件特征与一虚设特征于该第一材料层中，其中该组件特征形成在该组件区中，该虚设特征形成在该对准区中，该组件特征具有一第一尺寸，该虚设特征具有一第二尺寸，该第二尺寸小于一对准标记侦测器的一分辨率；形成一第二材料层于该第一材料层的上方；以及形成一对准特征于该第二材料层中，该对准特征设置在该对准区的该虚设特征的上方。