激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法

摘要

本发明涉及半导体薄膜材料制备方法。所制材料包括衬底，ZnO基层，扩散层。其扩散层为沉积Cu高温扩散掺杂进入ZnO基层形成的扩散层。薄膜采用脉冲激光沉积方法制备，衬底为(100)硅单晶，激光脉冲腔内真空度5×10-4Pa，沉积温度为450℃，激光频率4Hz，激光能量190kV，ZnO基薄膜溅射时间40分钟，在上述基础上加镀Cu层，沉积时间为2分钟，保温30分钟，所制备Cu扩散掺杂的ZnO基薄膜在腔体内自然冷却至室温而形成。本发明在制备掺杂ZnO基半导体薄膜时优于以往烧结靶材溅射镀膜工艺，在制备不同含量ZnO基半导体薄膜时较为方便。

主权项

一种脉冲激光沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法，其特征是：制备的扩散层为沉积Cu高温扩散掺杂进入ZnO基层形成的扩散层，所制材料包括衬底，ZnO基层，扩散层。