发明名称 |
背入射式TiO<sub>2</sub>紫外光探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于半导体光电探测器件领域,具体涉及一种以石英为衬底,以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料,以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底,采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是:采用溶胶-凝胶技术,在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜,然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触,采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器,采用背入射方式工作,可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm~350nm的紫外线具有良好的检测性能。 |
申请公布号 |
CN101562208B |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN200910067032.2 |
申请日期 |
2009.06.02 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
阮圣平;孔祥梓;骆俊谕;李福民;陶晨;瞿鹏飞;张歆东;董玮;刘彩霞 |
分类号 |
H01L31/09(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
背入射式TiO2紫外光探测器,其特征在于:从下到上依次包括石英衬底(1)、采用溶胶凝胶法在石英衬底(1)上生长的纳米晶TiO2薄膜(2)、在纳米晶TiO2薄膜上用磁控溅射法制备的Ni插指电极(3),待探测的紫外光(4)从石英衬底(1)处入射。 |
地址 |
130023 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号 |