5伏特一次性可编程存储阵列的电路结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种电路调节系统，其包括一个一次性可编程(OTP)存储器。此OTP存储器包括一正向偏压调节器件连接在一电源电压Vcc与一接地电压之间，其中Vcc电压具有一减低电压，比用于反向偏压器件的10伏特或更大的调节电压低。OTP存储器进一步包括一驱动电路来选择在低电流状态的OTP存储器，并开启一高调节电流流经正向偏压调节器件来调节与编程OTP存储器。此调节系统进一步包括一感测电路并联正向偏压调节器件以感测正向偏压调节器件的电流与电压。

主权项

一种一次性可编程存储器，包括：一调节器件包括一个正向偏压调节二极管，其连接在一电源电压Vcc与一接地电压之间；一硅控整流器驱动电路，其串联该调节器件，该硅控整流器提供一调节电流以调节该调节器件。一P型的半导体衬底，用于支撑及集成所述的正向偏压二极管与作为集成在该半导体衬底上的硅控整流器驱动电路的硅控整流器‑金属氧化物半导体晶体管。所述的硅控整流器‑金属氧化物半导体晶体管进一步设置在P型半导体衬底上，其支撑一低压P阱和一低压N阱，所述的低压P阱围绕着横向金属氧化物半导体晶体管的N‑源极和N‑漏极；所述的低压N阱与该低压P阱相邻，且围绕部分的N‑漏极、N+区域与P+区域，此构成一集成了横向金属氧化物半导体器件的PNPN硅控整流器器件。所述的N+区域与P+区域被围绕在所述的低压N阱内，从而形成一正向偏压二极管。