| 发明名称 | 隔离外延调制装置 | ||
| 摘要 | 一种隔离外延调制装置包括：基片；势垒结构，其形成在所述基片上；隔离外延区，其形成在所述基片的上方并且由所述势垒结构与所述基片电隔离；半导体器件，所述半导体器件位于隔离外延区中；以及调制网络，其形成在所述基片上并且与所述半导体器件电耦合。所述装置还包括接合焊盘和接地焊盘。隔离外延区与接合焊盘和接地焊盘中的至少一个电耦合。所述半导体器件和所述外延调制网络配置为调制输入电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102376692A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110280581.5 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 英特赛尔美国股份有限公司 | 发明人 | Y·李;S·H·沃德曼 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 一种隔离外延调制装置，包括：基片；势垒结构，其形成在所述基片上；隔离外延区，其形成在所述基片的上方并且由所述势垒结构与所述基片电隔离；半导体器件，所述半导体器件位于所述隔离外延区中；调制网络，其形成在所述基片上并且与所述半导体器件电耦合；接合焊盘；以及接地焊盘；其中，所述隔离外延区与所述接合焊盘和所述接地焊盘中的至少一个电耦合；并且其中，所述半导体器件和外延调制网络配置为调制输入电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||