基于霍尔效应的MOS晶体管

摘要

一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向。本发明的基于霍尔效应的MOS晶体管在导通时，加载的磁场可以使得导电沟道中运动的多数载流子向远离栅极的方向偏转，而所述多数载流子的偏转会使得MOS晶体管靠近漏极的导电沟道截面扩展，从而有效降低了漏极的寄生电阻。

主权项

一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向。