AlGaInP发光二极管的制备方法

摘要

AlGaInP发光二极管的制备方法。是将发光二极管芯片半切后用腐蚀方法制成，工艺步骤为将发光二极管芯片半切，半切深度40～60um；放置在2寸的真空吸盘上，开启真空；用腐蚀液，对芯片表面进行腐蚀；20～120秒后开启匀速旋转设备，将腐蚀液甩掉，然后冲水；用氮气枪吹干。所述腐蚀液为氨水-双氧水-无离子水溶液(体积配比为1∶2～5∶1)或次氯酸钠腐蚀液(配比为1∶15～20)。腐蚀进行1～2次。通过湿法腐蚀的方法，对任意尺寸发光二极管芯片均适用，亮度提升明显，可以高达12～35％，具有良好的重复性。并且本发明提供的方法设备简单，工艺简单，成本低，尤其适合小尺寸芯片的量产。

主权项

AlGaInP发光二极管的制备方法，其特征在于将发光二极管芯片半切后用腐蚀方法制成，工艺步骤为：(1)将发光二极管芯片半切，半切深度40‑60um；(2)将整片芯片放置在2寸的真空吸盘上，开启真空；(3)向漏斗里倒入腐蚀液，使腐蚀液均匀的平铺在芯片表面，对芯片进行腐蚀；(4)20～120秒后开启匀速旋转设备，将腐蚀液甩掉，然后冲水；(5)用氮气枪吹干。所述腐蚀液为氨水‑双氧水‑无离子水腐蚀液或次氯酸钠腐蚀液；氨水‑双氧水‑无离子水腐蚀液中氨水、双氧水与无离子水的体积配比为1∶2～5∶1；次氯酸钠腐蚀液中次氯酸钠溶液与水的体积配比为1∶15～20；其中：氨水浓度为28～30％；双氧水的浓度为30～32％；次氯酸钠溶液浓度为5～7％。