晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构

摘要

本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接触图案，之后在电池背面制作铝电极。本发明的有益效果是：本发明背钝化电池太阳能电池具有以下两个特征：1)在电池背点接触及其附近形成高掺杂重扩散区，与之后镀的铝电极可以形成良好的欧姆接触，降低电池的串联电阻；2)经过退火氧化铝可以很好的钝化背表面，降低表面复合速率，之后的氮化硅起到一个保护氧化铝的作用，以避免之后溅射或者蒸发的过程破坏氧化铝的钝化效果。

主权项

一种晶体硅太阳电池背钝化工艺，其特征是：首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接触图案，之后在电池背面制作铝电极。