NMOS晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种NMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极结构，并在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；形成覆盖栅极结构表面以及半导体衬底表面的拉应力层；去除覆盖在栅极结构顶部的拉应力层；在剩余的拉应力层表面以及栅极顶部形成压应力层，压应力层的硬度比拉应力层的硬度大；进行热退火处理；依次去除压应力层和剩余的拉应力层。本发明通过在拉应力层上再覆盖压应力层，由于覆盖在栅极上的拉应力层已经去除，故该压应力层直接作用于栅极，对栅极产生向下的压力，该向下的压力转化成沿着沟道长度方向产生的单轴拉伸应变增大，进一步增加电子迁移率，从而使NMOS晶体管具有更高的运转速度。

主权项

一种NMOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，并在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；形成覆盖所述栅极结构表面以及所述半导体衬底表面的拉应力层；去除覆盖在所述栅极结构顶部的拉应力层；在剩余的拉应力层表面以及栅极结构顶部形成压应力层，所述压应力层的硬度比所述拉应力层的硬度大；进行热退火处理；依次去除所述压应力层和剩余的拉应力层。