发明名称 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器
摘要 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器,具有探测灵敏度高,响应速度快,室温工作,结构紧凑可大规模集成的优点,可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应,选用适当组成的碲镉汞材料,设计合理可行的天线耦合结构,进行光刻、腐蚀、溅射工艺制作,使用前置放大电路进行信号读出,从而实现对太赫兹信号的探测。本发明器件所用材料制备工艺成熟,可实现线列或阵列探测。
申请公布号 CN102376812A 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN201110191846.4 申请日期 2011.07.11
申请人 中国科学院上海技术物理研究所 发明人 黄志明;陆金星;黄敬国;周炜;沈学民;魏彦峰;侯云;高艳卿;褚君浩
分类号 H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01Q1/44(2006.01)I 主分类号 H01L31/08(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 郭英
主权项 一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器,它由在碲锌镉衬底层(1)上依次生长碲镉汞Hg1 xCdxTe层(2)、碲化镉层(3)、硫化锌层(4)和电极层(5)组成,其特征在于:所述的碲锌镉衬底层(1)的厚度小于1.5mm;所述的碲镉汞Hg1 xCdxTe层(2)的厚度为3 12μm,其x值为0.18 0.32;所述的碲化镉层(3)的厚度为200nm;所述的硫化锌层(4)的厚度为100nm;所述的生长层碲镉汞Hg1 xCdxTe层(2)、碲化镉层(3)、硫化锌层(4)形状为矩形,尺寸a×b小于100×100μm2;所述的兼做耦合天线的电极层(5),由金溅射制成,其厚度为200nm,覆盖硫化锌层(4)两侧表面和两侧边缘,并与碲镉汞Hg1 xCdxTe层(2)和碲化镉层(3)两侧边缘形成欧姆接触,大部分电极层5溅射在碲锌镉衬底层(1)上。
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号