磁存储器元件

摘要

一种磁存储器元件，包括存储层、参照层以及设置在存储层和参照层之间的自旋注入层。参照层具有层积至少两个CoPt层的结构，该至少两个CoPt层包含20原子％以上且50原子％以下的Pt，厚度为1nm以上且5nm以下，并且其间层积有Ru层。Ru层的厚度是0.45±0.05nm或0.9±0.1nm。另外，CoPt层的三次晶体对称轴垂直地指向膜表面。参照层包括位于与自旋注入层的界面处的含有Co或Fe作为主要组分、厚度为1.5nm以下的高自旋极化层。

主权项

一种磁存储器元件，包括：存储层，具有垂直于膜表面的磁化，并且响应于信息来改变磁化方向；参照层，具有垂直于所述膜表面的磁化，并且用作信息的基准；以及自旋注入层，由非磁性材料构成，并设置在所述存储层和所述参照层之间，其中，当电流流过包括所述存储层、所述自旋注入层和所述参照层的层结构时，产生自旋扭矩，从而通过由所述自旋扭矩引起的磁化反转来在所述存储层中存储信息；所述参照层具有层积至少两个CoPt层的结构，所述至少两个CoPt层包含20原子％以上且50原子％以下的Pt，厚度为1nm以上且5nm以下，并且其间设置有Ru层；所述Ru层的厚度是0.45±0.05nm或0.9±0.1nm；所示CoPt层的三次晶体对称轴垂直地指向所述膜表面；以及所述参照层包括位于与所述自旋注入层的界面处的高自旋极化层，所述高自旋极化层的厚度为1.5nm以下且包含Co或Fe作为主要组分。