| 发明名称 | 倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102376616A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110204481.4 | 申请日期 | 2011.07.20 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;C08L33/08(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L61/06(2006.01)I;C08K7/18(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，和在激光标识后，所述膜的标识部分与除所述标识部分外的其它部分之间的对比度为20％以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||