发明名称 具有增加通道面积的半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件,包括:主动式区域,定义出至少四个表面,该四个表面包括第一、第二、第三及第四表面;一闸极绝缘层,形成于该主动式区域之该四个表面的附近;及一闸极电极,形成于该闸极绝缘层及该主动式区域之该四个表面的附近。
申请公布号 TWI360220 申请公布日期 2012.03.11
申请号 TW095149459 申请日期 2006.12.28
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 赵俊熙
分类号 H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/336 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 南韩