半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其包括：一半导体区域，其具有一第一半导体面与一连接至该第一半导体面且相对于该第一半导体面具有一倾斜之第二半导体面；一闸极绝缘膜，其系形成于该第一及该第二半导体面上；一闸极电极，其系形成于包括介于该第一半导体面与该第二半导体面之间的一边界上之一部分的闸极绝缘膜上；一源极杂质区域，其系在该半导体区域中形成为与在该第一半导体面内的闸极电极重叠而在该源极杂质区域与该闸极电极之间插入该闸极绝缘膜；以及一汲极杂质区域，其系形成于该半导体区域中至少在该第二半导体面的正下方。