薄膜形成方法、半导体装置之制造方法、半导体装置及薄膜形成装置

摘要

一种在处理容器内之被处理基板形成薄膜之薄膜形成方法，系使用由：由重复将不包含卤元素之有机金属化合物所成之第1原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第1原料气体之第1工程，及将包含氢气或氢化合物之第2原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第2原料气体之第2工程所成之第1薄膜成长工程；及由重复将由金属卤化物所成之第3原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第3原料气体之第3工程，及将包含氢气或氢化合物之第4原料气体供应给前述处理容器内后，由前述处理容器内去除前述第4原料气体之第4工程所成之第2薄膜成长工程所成之薄膜形成方法。