相容半导体元件之微型悬浮结构及其制造方法

摘要

本发明为相容半导体元件之微型悬浮结构及其制造方法，其在矽基底上方的绝缘层内形成至少一半导体元件及至少一微机电结构，微机电结构包含彼此独立的至少一微结构、至少一相容连接件与金属电路，相容连接件电性连接半导体元件与微机电结构；而前述矽基底藉由第一次蚀刻产生的切割空间，再利用矽基底第二次蚀刻产生与切割空间相通的悬浮空间，此时，微机电结构悬浮，并利用绝缘层内的相容连接件达成微机电结构与半导体元件的电性连接；藉此本发明有效结合微机电结构与半导体元件，且避免微机电结构不当侵蚀及曝露。