发明名称 |
磊晶基板及其制造方法以及利用该磊晶基板成长之发光二极体 |
摘要 |
本发明之磊晶基板上系形成有长晶过程中所形成之缺陷,各缺陷经湿式蚀刻后形成粗化表面,可简化有图案化蓝宝石基板(patterned sapphire substrate;pss)之制程。 |
申请公布号 |
TWI359885 |
申请公布日期 |
2012.03.11 |
申请号 |
TW096127492 |
申请日期 |
2007.07.27 |
申请人 |
中美矽晶制品股份有限公司 新竹市科学园区工业东二路8号 |
发明人 |
吴耀铨;徐文庆;何思桦 |
分类号 |
C30B33/08;C30B29/20;H01S5/00 |
主分类号 |
C30B33/08 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
新竹市科学园区工业东二路8号 |