发明名称 磊晶基板及其制造方法以及利用该磊晶基板成长之发光二极体
摘要 本发明之磊晶基板上系形成有长晶过程中所形成之缺陷,各缺陷经湿式蚀刻后形成粗化表面,可简化有图案化蓝宝石基板(patterned sapphire substrate;pss)之制程。
申请公布号 TWI359885 申请公布日期 2012.03.11
申请号 TW096127492 申请日期 2007.07.27
申请人 中美矽晶制品股份有限公司 新竹市科学园区工业东二路8号 发明人 吴耀铨;徐文庆;何思桦
分类号 C30B33/08;C30B29/20;H01S5/00 主分类号 C30B33/08
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹市科学园区工业东二路8号