非挥发性记忆体元件及其制造方法

摘要

藉由沿着下电极的上边缘形成决定ReRAM相的电阻层，本发明的非挥发性记忆体元件及其制造方法可以确保在元件设计过程中之起始驱动电压的余裕幅度，并且改善元件的操作特性。