高介电常数材料之催化剂辅助矽酸盐的沉积方法

摘要

本发明公开一种高介电常数矽酸盐原子层沉积方法。为了产生矽酸铪层，基板可暴露于铪前驱物脉冲、氧化剂脉冲、矽前驱物脉冲和其他氧化剂脉冲。催化剂可额外地与一种或多种反应物经由个别的入口流入室中。选择性地，催化剂可在反应物引入到浸泡程序之前，流入到室。经由个别的入口并流催化剂，或者藉由执行催化剂浸泡，可在快速和/或在低温下执行矽酸铪的形成。