半导体装置及使用其之电源装置

摘要

本发明之课题在于提供：可以降低电源装置的主电路之寄生电感之技术。;本发明之解决手段为：一种形成有高侧用之功率MOSFET的半导体晶片(5a)、及形成有低侧用功率MOSFET之半导体晶片(5b)、及形成有驱动电路之半导体晶片(5c)被收容于同一密封体(6)之半导体装置，以n通道型之纵型MOSFET来形成半导体晶片(5a、5b)之功率MOSFET，并且半导体晶片(5a)的源极与半导体晶片(5b)的汲极系通过同一黏晶座而电性连接。