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发明名称
制造具球形凹闸之半导体元件之方法
摘要
一种用以制造半导体元件之方法,包含:于基板中形成复数球形凹槽;于含有该球形凹槽之基板上方形成闸绝缘层;于对应球形凹槽之球形图案之侧壁上方,形成已制成图案之第一传导层;以及于该闸绝缘层上方形成已制成图案之第二传导层,同时填满该球形凹槽。
申请公布号
TWI360184
申请公布日期
2012.03.11
申请号
TW096116979
申请日期
2007.05.14
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
曹祥薰
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址
南韩
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