发明名称 制造具球形凹闸之半导体元件之方法
摘要 一种用以制造半导体元件之方法,包含:于基板中形成复数球形凹槽;于含有该球形凹槽之基板上方形成闸绝缘层;于对应球形凹槽之球形图案之侧壁上方,形成已制成图案之第一传导层;以及于该闸绝缘层上方形成已制成图案之第二传导层,同时填满该球形凹槽。
申请公布号 TWI360184 申请公布日期 2012.03.11
申请号 TW096116979 申请日期 2007.05.14
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 曹祥薰
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址 南韩