发明名称 一种导电膜之制造方法
摘要 一种导电膜之制造方法;该导电膜系透过微影深蚀刻模造(LIGA)技术及高分子厚膜技术,由绝缘薄膜包覆单层单向排列之复数金属微线构成金属微线阵列单元;该绝缘薄膜系具有高介电常数之聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亚胺(PI)等高分子薄膜;该金属微线系具有高导电性与高强度之铁钴合金(Ni-Co);于真空环境下透过表面处理与机械癒合(mechanical healing)技术,该将金属微线阵列单元黏着、堆叠至一定厚度,使形成一导电膜,藉由雷射、离子束或电浆等能量束可将导电膜裁切至所需尺寸;将该导电膜结合于扩线板,可提供一种适用于任何焊垫排列之晶圆,成本低、维修容易,利于大面积针测之探针卡。
申请公布号 TWI360182 申请公布日期 2012.03.11
申请号 TW096137385 申请日期 2007.10.05
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 吴东权;周敏杰;林宏彝
分类号 H01L21/3205;H01L21/60 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号