制造积体电路通道区域之方法

摘要

实施范例系关于一种FinFET通道结构形成方法。本方法能包括在绝缘层(130)之上设有化合物半导体层(140)，并在该化合物半导体层(140)中设有沟渠(142)，以及在该化合物半导体层(140)之上和沟渠(142)内设有应变半导体层(144)。该方法亦能包括从该化合物半导体层(140)之上去除应变半导体层(144)，由此留下应变半导体层(144)于沟渠(142)内，并去除该化合物半导体层(140)以留下应变半导体层(144)，并形成鳍状通道区域(152)。