发明名称 The preparation of V2O5 thin films using e-beam irradiation and the V2O5 thin films improved energy storage capacity
摘要 <p>본 발명은 전자빔 조사를 이용한 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 황산바나듐 분말을 증류수와 에탄올 혼합용액에 용해시켜 전해질 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 전해질 용액에 기판을 침지시키고, 전기화학적 증착법으로 오산화바나듐 박막을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 박막에 전자빔을 조사하는 단계(단계 3)를 포함하는 오산화바나듐 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 에너지 저장능력이 향상된 오산화바나듐 박막에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오산화바나듐 박막의 제조방법은 고온의 소성 공정을 대신해 전자빔 조사를 이용하여 제조방법의 효율성을 높이며, 상기 제조방법으로 제조된 오산화바나듐 박막은 박막의 결정성 및 에너지 저장능력이 향상되므로, 촉매, 리튬 2차 전지 및 초고용량 커패시터의 전극재료 등에 유용하게 사용될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101122630(B1) 申请公布日期 2012.03.09
申请号 KR20090072824 申请日期 2009.08.07
申请人 发明人
分类号 B01J23/22;C01G31/02;H01G9/042;H01M4/48 主分类号 B01J23/22
代理机构 代理人
主权项
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