| 摘要 |
<p>본 발명은 3차원 구조를 갖는 도전성 구조체의 원하는 위치에 도핑영역을 형성할 수 있고, 도핑영역의 도핑깊이 및 도즈 제어가 용이하며, 얕은 깊이를 갖고 플로팅바디효과가 방지된 도핑방법 및 그를 이용한 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체장치 제조 방법은 기판을 식각하여 측벽을 갖는 활성영역을 형성하는 단계; 상기 활성영역의 측벽 일부를 노출시키는 단계; 플라즈마 도핑을 실시하여 상기 노출된 측벽 일부에 접합을 형성하는 단계; 및 상기 접합의 표면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 플라즈마도핑을 이용하므로써 3차원 구조를 갖는 도전성 구조체의 원하는 위치에 도펀트가 도핑된 도핑영역을 용이하게 형성할 수 있고, 도핑영역의 도핑깊이 및 도즈 제어가 용이하다. 또한, 본 발명은 플라즈마도핑을 이용하여 접합을 형성하므로써 얕은 깊이를 갖고 이에 따라 플로팅바디효과가 방지된 얕은 접합을 형성하는 효과가 있다.</p> |
