| 摘要 |
<p>본 발명은 게이트 스택과 같은 전도체 스택 사이를 절연시키기 위한 층간절연막 형성시 보이드가 발생하는 것을 방지할 수 있는 반도체소자의 층간절연막 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체소자의 층간절연막 형성 방법은 반도체 기판 상에 전극물질과 하드마스크질화막의 순서로 적층되는 전도체 스택을 형성하는 단계, 상기 전도체 스택의 양측벽에 접하는 스페이서를 형성하는 단계, 상기 스페이서의 표면 일부를 산화시켜 산화막시드층을 형성하는 단계, 및 상기 산화막시드층을 시드로 이용하여 상기 전도체 스택 사이를 갭필하는 층간절연막을 형성하는 단계를 포함하며, 이와 같은 본 발명은 라디칼산화 공정을 통해 하부구조물을 산화시켜 산화막시드층을 미리 형성해주고, 이 산화막 시드층을 시드로 이용하므로 보이드없이 층간절연막을 갭필하여 반도체소자의 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.</p> |
