发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 <p>미세하고 신뢰성 있는 다층배선 구조를 용이하게 형성하는 기술에 관한 것이다. 다층배선 구조에서는, 절연층을 사이에 끼워서 형성된 하층배선과 상층배선이 하층배선에 형성된 볼록 형상부를 통해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 상기 볼록 형상부는 원통형 도전성 부재와 그 상층 및 하층을 포함하며, 상기 하층 및 상층 각각은 하층배선 전면에 형성된 도전층으로 형성된다. 상기 볼록 형상부가 상기 절연층의 상부 표면과 거의 동일한 평면에서 노출되는 부위에서, 상기 상층은 상기 하층배선과 전기적으로 접속된다.</p>
申请公布号 KR101121684(B1) 申请公布日期 2012.03.09
申请号 KR20040089135 申请日期 2004.11.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/3205;G02F1/1362;H01L21/768;H01L21/77;H01L21/84;H01L23/52;H01L27/12;H01L29/417 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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