| 摘要 |
<p>본 발명은 매립게이트를 구비한 반도체장치 공정시 스토리지노드콘택홀과 비트라인홀간의 브릿지를 방지할 수 있는 반도체장치 제조 방법을 제공하기 위한 것으로,본 발명의 반도체장치 제조 방법은 기판 상에 랜딩플러그를 형성하는 단계; 상기 랜딩플러그 사이의 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 일부 매립하는 매립게이트를 형성하는 단계; 상기 매립게이트 상부를 갭필하는 제1갭필막을 형성하는 단계; 상기 랜딩플러그의 상부를 돌출시키는 단계; 상기 돌출된 랜딩플러그의 상부를 트리밍하는 단계; 상기 트리밍된 랜딩플러그를 포함한 전면에 스페이서절연막을 형성하는 단계; 상기 스페이서절연막 상에 제2갭필막을 형성하는 단계; 및 상기 트리밍된 랜딩플러그의 표면이 노출되도록 상기 제2갭필막과 스페이서절연막을 평탄화하는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 트리밍 공정을 통해 면적이 작은 돌출부와 면적이 넓은 매립부를 갖는 랜딩플러그를 형성하므로써, 비트라인콘택홀 및 스토리지노드콘택홀간의 브릿지를 방지할 수 있는 효과가 있다.</p> |
