| 摘要 |
<p>본 발명은 높은 발광 효율을 갖는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따른 질화물 반도체 발광 소자는, n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층; 및 상기 n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 개재되며, 복수의 양자우물층과 적어도 하나의 양자장벽층을 갖는 다중양자우물 구조의 활성층을 포함하고, 상기 양자장벽층은 AlInN(0≤x≤0.3)로 된 제1층과 AlInN(0.7≤y≤1)로 된 제2층이 교대로 적층되어 총 3층이상의 다층구조 AlInN 양자장벽층으로 되어 있다.</p> |
