发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
摘要 <p>반도체 발광 소자(1)는 n형 클래드층(3)과, n형 클래드층(3)상에 설치된 p형 클래드층(7)과, n형 클래드층(3)과 p형 클래드층(7) 사이에 설치되어 있고, 질화물로 이루어진 활성층(5)을 구비하며, n형 클래드층(3)과 활성층(5)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도 및 활성층(5)과 p형 클래드층(7)의 계면에 직교하는 축과 활성층(5)에 있어서의 c축이 이루는 각도가 각각 제로보다 큰 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101119579(B1) 申请公布日期 2012.03.08
申请号 KR20050035072 申请日期 2005.04.27
申请人 发明人
分类号 H01L33/06;H01L33/16;H01L33/28;H01L33/32;H01L33/36 主分类号 H01L33/06
代理机构 代理人
主权项
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