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Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Driftschicht (3), eine Basisschicht (4) auf der Driftschicht (3) und Grabengatestrukturen (8). Jede Grabengatestruktur (8) enthält einen Graben (5), der die Driftschicht (3) erreicht, indem er die Basisschicht (4) durchdringt, eine Gateisolierschicht (6) auf einer Wandfläche des Grabens (5) und eine Gateelektrode (7) auf der Gateisolierschicht (6). Ein Bodenabschnitt der Grabengatestruktur (8) ist in der Driftschicht (3) angeordnet und erstreckt sich in einer vorbestimmten Richtung, so dass ein Abstand (L1) zwischen den Bodenabschnitten benachbarter Grabengatestrukturen (8) kleiner als ein Abstand (L2) zwischen Öffnungsabschnitten benachbarter Grabengatestrukturen (8) in dieser Richtung ist. Eine Dicke der Gateisolierschicht (6) ist in dem Bodenabschnitt größer als in dem Öffnungsabschnitt.
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