| 发明名称 | 接触孔填充方法 | ||
| 摘要 | 一种接触孔填充方法，包括：提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底；在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成第一金属层，所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米；在第一金属层表面形成第二金属层，直至填充所述接触孔。本发明能够使得接触孔填充的金属阶梯覆盖性比较好，减小了接触孔的电阻，提高了接触孔性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101937864B | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN200910054397.1 | 申请日期 | 2009.07.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相;何伟业;刘盛;孔祥涛 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种接触孔填充方法，包括：提供一个表面具有至少一个接触孔开口的衬底；在接触孔的侧壁和衬底表面形成阻挡层；其特征在于，还包括：在阻挡层表面形成第一金属层，所述第一金属层的金属晶粒尺寸小于0.2微米，所述形成第一金属层的具体工艺为：反应温度为20摄氏度至150摄氏度，腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为每分钟2标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米；在第一金属层表面形成第二金属层，直至填充所述接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||