发明名称 基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路
摘要 本发明涉及一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路,包括变压器T1,控制MOSFET管S1,控制MOSFET管S2,控制MOSFET管S3,二极管D1,二极管D2,二极管D3,供电电源Vc1,供电电源Vc2,功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2,其特征在于:所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管,控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2驱动电压箝位到一定值。本发明可以驱动任意组合的一对互补工作的功率MOSFET开关管,驱动效率高,驱动速度快,器件少,控制简单,具有较好的使用价值。
申请公布号 CN101826799B 申请公布日期 2012.03.07
申请号 CN201010301094.8 申请日期 2010.02.02
申请人 福州大学 发明人 郭晓君;林维明;李镇福
分类号 H02M3/335(2006.01)I 主分类号 H02M3/335(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种基于反激变换器型的开关管互补谐振驱动电路,包括变压器T1、控制MOSFET管S1、控制MOSFET管S2、控制MOSFET管S3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、供电电源Vc1、供电电源Vc2、功率MOSFET管Q1和功率MOSFET管Q2,其特征在于:所述变压器T1将两个功率MOSFET管Q1和Q2的驱动能量互相传递以驱动这两个功率MOSFET管,控制MOSFET管S1和二极管D1、D2、D3将功率MOSFET管Q1和Q2的驱动电压箝位到一定值;所述功率MOSFET管Q1的栅极接二极管D1的阴极、控制MOSFET管S1的源极和变压器T1原边绕组N1的同名端;控制MOSFET管S1的漏极接供电电源Vc1的正极;变压器T1原边绕组N1的非同名端接控制MOSFET管S2的漏极;控制MOSFET管S2的源极接二极管D1的阳极、功率MOSFET管Q1的源极和供电电源Vc1的负极;功率MOSFET管Q2的栅极接二极管D2的阳极、二极管D3的阴极和变压器T1副边绕组N2的非同名端;二极管D2的阴极接供电电源Vc2的正极;变压器T1副边绕组N2的同名端接控制MOSFET管S3的漏极;控制MOSFET管S3的源极接二极管D3的阳极、功率MOSFET管Q2的源极和供电电源Vc2的负极;控制MOSFET管S1的栅极和源极、控制MOSFET管S2的栅极和源极以及控制MOSFET管S3的栅极和源极接各自的控制驱动信号。
地址 350108 福建省闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区