发明名称 一种提高提拉法ZnO薄膜透过率的制作方法
摘要 本发明公开一种提高提拉法制作ZnO透明导电薄膜透过率的方法,该方法的ZnO溶胶相对于基底板沿水平方向以26.9~85.7mm/min速率匀速运动,有两种实现方式:一采用直板状基底板,ZnO溶胶相对于基底板沿水平方向匀速流动的速率为 <mrow> <mi>V</mi> <mo>=</mo> <mn>1.027</mn> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>c</mi> </msub> <msup> <mi>T</mi> <mn>0.32</mn> </msup> </mrow> <mi>n</mi> </mfrac> <mo>;</mo> </mrow>二采用圆筒状基底板,圆筒状基底板相对于盛ZnO溶胶的容器绕其竖直方向轴线匀角速转动,圆筒状基底板转动角速率为 <mrow> <mi>&omega;</mi> <mo>=</mo> <mn>1.027</mn> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>V</mi> <mi>c</mi> </msub> <msup> <mi>T</mi> <mn>0.32</mn> </msup> </mrow> <mi>nR</mi> </mfrac> <mo>.</mo> </mrow>其中,Vc为基底板自ZnO溶胶中垂直提拉的速度,Vc=6~15mm/min;n为溶胶中Zn离子的浓度,n=0.7~0.8mol/l;T为溶胶温度,T=50~70℃;R为圆筒型基底板的外圆半径,R=3~6cm。本方法制作成本低,操作方便,ZnO薄膜透过率提高明显。
申请公布号 CN101671121B 申请公布日期 2012.03.07
申请号 CN200910093353.X 申请日期 2009.09.28
申请人 北京交通大学 发明人 盛新志;娄淑琴;陈晓涌
分类号 C03C17/23(2006.01)I 主分类号 C03C17/23(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1.一种提高提拉法ZnO薄膜透过率的制作方法,包括基底板自ZnO溶胶中垂直提拉,其特征是:ZnO溶胶相对于基底板沿水平方向以26.9~85.7mm/min的速率匀速运动;ZnO溶胶相对于基底板沿水平方向匀速运动,有两种实现方式:一是基底板为直板状基底板,ZnO溶胶相对于基底板沿水平方向匀速流动的速率为<img file="FSB00000473968900011.GIF" wi="372" he="117" />其中,V<sub>c</sub>=6~15mm/min,为直板状基底板自ZnO溶胶中垂直提拉的速度;T=50~70℃,为溶胶温度;n=0.7~0.8mol/l,为溶胶中Zn离子的浓度;二是基底板为圆筒状基底板,圆筒状基底板相对于盛ZnO溶胶的容器绕其竖直方向轴线匀角速转动,圆筒状基底板转动角速率为<img file="FSB00000473968900012.GIF" wi="358" he="116" />其中,V<sub>c</sub>=6~15mm/min,为圆筒状基底板自ZnO溶胶中垂直提拉的速度;T=50~70℃,为溶胶温度;n=0.7~0.8mol/l,为溶胶中Zn离子的浓度;R=3~6cm,为圆筒状基底板的外圆半径。
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