| 发明名称 | 一种阻变式存储器单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种阻变式存储器单元，包括单极型RRAM和与之串联的作为选择管的MOS晶体管，其中MOS晶体管制作在部分耗尽SOI衬底上，利用其本征的浮体效应为RRAM的编程和擦除提供大电流。本发明利用了SOI器件的浮体效应，在相同的宽长比下，SOI衬底上的MOS晶体管较体硅MOS晶体管能提供更大的源漏电流，从而节省选择管占用的面积，有利于RRAM阵列的集成。 | ||
| 申请公布号 | CN102368536A | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201110382225.4 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 蔡一茂;万珍妮;黄如 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种阻变式存储器单元，包括单极型RRAM和与之串联的作为开关的MOS晶体管，其中MOS晶体管制作在部分耗尽SOI衬底上。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||