| 发明名称 | 电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电介质陶瓷、电介质陶瓷的生产方法和电子部件。提供包括含有Mg2SiO4的主组分以及含有氧化锌和玻璃组分的添加剂的电介质陶瓷，其中在X射线衍射中，对于保持未反应的氧化锌的2θ为在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度IB相对于对于作为主相的Mg2SiO4的2θ为在36.0°至37.0°之间的峰强度IA的峰强度比IB/IA为10％以下。所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。 | ||
| 申请公布号 | CN102367211A | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201110185021.1 | 申请日期 | 2011.06.30 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 樱井俊雄;岚友宏;小更恒;中野贵弘;中村知子;宫内泰治 |
| 分类号 | C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种电介质陶瓷，其包括：含有Mg2SiO4的主组分；和含有氧化锌和玻璃组分的添加剂，其中在X射线衍射中，峰强度比IB/IA为10％以下，其中IA为对于作为主相的Mg2SiO4的2θ在36.0°至37.0°之间的X射线衍射峰强度，和IB为对于保持未反应的氧化锌的2θ在31.0°至32.0°之间和在33.0°至34.0°之间的X射线衍射峰强度，和所述电介质陶瓷具有96％以上的相对密度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||