一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉，其中按质量百分含量包括以下组分：30-65％PbO，30-55％SiO2，5-18％B2O3，1-10％Al2O3，0.5-2％Sb2O3，1-6％Bi2O3，0-3％PbF2，0-2％CeO2，0-2％As2O3，0-7％V2O5，本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种铅硅铝系玻璃粉，它具有良好的化学稳定性和电学性能、与硅基片的膨胀系数匹配性好且具有较低的烧成温度，以及在烧成后不析出晶体，钝化层气密性好，适合应用于台面沟槽钝化工艺的三极管、可控硅以及硅半导体二极管等的钝化封装上。本发明的另一个目的是提供一种制备上述玻璃粉的方法。

主权项

1.一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉的制备方法，其特征在于：按质量百分比称取以下各组分：将上述组分物料充分混合均匀，得混合料；将混合料加入到氧化铝坩埚或白金坩埚中，再把坩埚置入高温电阻炉中，在1350℃下熔解成均匀玻璃液；使用耐热不锈钢水冷连续式辊轧机将玻璃液轧成0.5mm厚的碎薄玻璃片；再将上述步骤所得的碎薄玻璃片加入到刚玉罐球磨机中，进行球磨粉碎后，通过400目标准筛，使其平均粒径为3.0±0.5μm，即得所述的玻璃粉，其中所述玻璃粉的热膨胀系数为36-49×10^-7℃^-1，其烧成温度范围为700℃-800℃。