发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
在遮光的状态下,在氮气环境中,通过用加氢超纯水洗净硅表面,实现峰谷(P-V)值在0.3nm以下的平坦度,同时通过使电极和硅之间的功函数差在0.2eV以下,实现接触电阻在10-11Ωcm2以下。由此,可以得到能够以10GHz以上的频率动作的半导体装置。 |
申请公布号 |
CN101490823B |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN200780026534.X |
申请日期 |
2007.07.12 |
申请人 |
国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 |
发明人 |
大见忠弘;寺本章伸;黑田理人 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种晶体管,其特征在于,包括:沟道区;和在设置在所述沟道区的两侧中的一侧的源极区和另一侧设置的漏极区;和与所述源极区和漏极区至少一个电连接的第1电极;和通过栅极绝缘膜设置在所述沟道区上的第2电极;所述沟道区和所述栅极绝缘膜的界面为原子级的平坦度,并且使从所述第1电极和所述源极区及漏极区的至少一个的接触部到所述沟道区的电阻在4Ω·μm以下。 |
地址 |
日本宫城县 |