| 发明名称 | 一种小体积高耐压IGBT | ||
| 摘要 | 一种小体积高耐压IGBT，属于半导体器件制造技术领域。包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(102)，有源区(101)位于半导体基板的中心区，边缘区(102)环绕在有源区(101)的四周上方，边缘区(102)的下方主扩散结(1)的上方覆盖有SiO2层(6)，其特征在于：有源区(101)和边缘区(102)的主扩散结(1)为贯穿半导体基板中心区的PN结平面层，SiO2层(6)外围及边缘区(102)侧面覆盖有钝化层(9)。与现有技术相比，省去高压终止区架构和多个P-降压环，可减小IGBT的体积30％-60％；取消IGBT主扩散结的弯曲弧度部位，可降低电场强度，提高耐压性能等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN202159669U | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201120291890.8 | 申请日期 | 2011.08.12 |
| 申请人 | 淄博美林电子有限公司 | 发明人 | 关仕汉;吕新立 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人 | 孙爱华 |
| 主权项 | 一种小体积高耐压IGBT，包括半导体基板上的有源区(101)和边缘区(102)，有源区(101)位于半导体基板的中心区，边缘区(102)环绕在有源区(101)的四周上方，边缘区(102)的下方主扩散结(1)的上方覆盖有SiO2层(6)，其特征在于：有源区(101)和边缘区(102)的主扩散结(1)为贯穿半导体基板中心区的PN结平面层，SiO2层(6)外围及边缘区(102)侧面覆盖有钝化层(9)。 | ||
| 地址 | 255000 山东省淄博市张店区张柳路6号 | ||