发明名称 METHOD OF MANUFACTURING GROUP Ⅲ NITRIDE CRYSTAL AND EQUIPMENT THEREFOR
摘要 <p>본 발명은 결정의 성장 속도가 큰 III족 질화물 결정 및 그 제조 방법, 그리고 III족 질화물 결정의 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 반응 용기(21)내에 적어도 III족 원소와 촉매제를 포함하는 용융액(1)을 시드 결정(2)의 주위에 형성하는 용융액 형성 공정과, 용융액(1)에 질소 함유물(3)을 공급하여 시드 결정(2)상에 III족 질화물 결정(4)을 성장시키는 결정 성장 공정을 포함하는 III족 질화물 결정의 제조 방법으로서, 상기 결정 성장 공정에 있어서 용융액(1)의 온도가 질소 함유물과 용융액과의 계면(13)으로부터 시드 결정(2)과 용융액(1)과의 계면(12) 또는 시드 결정(2)상에 성장한 III족 질화물 결정(4)과 용융액(1)과의 계면(14)에 걸쳐서 저하하도록 온도 제어하는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 결정의 제조 방법.</p>
申请公布号 KR101117364(B1) 申请公布日期 2012.03.07
申请号 KR20110022580 申请日期 2011.03.14
申请人 发明人
分类号 C30B29/38;C30B9/00;C30B9/12;C30B11/00;C30B17/00;C30B29/40 主分类号 C30B29/38
代理机构 代理人
主权项
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