缩减在半导体装置的接点等级中图案化两个不同应力诱发层的期间所产生与地貌相关的不平整

摘要

在精密的半导体装置(200)中，可在基本的晶体管装置(222)上方设置应力诱发材料(230，240)，而无须任何蚀刻控制或蚀刻终止材料，藉此有效地减少表面地貌(topography)，尤其是在包含紧密间隔的多晶硅线(222)的场区域上方。再者，可基于优越的表面地貌设置额外的应力诱发材料(235)，藉此在效能驱动晶体管组件(222P，222N)中设置高效率的应变诱发机制。

主权项

一种方法，包括：在形成于半导体装置(200)的装置等级中的第一及第二导线(222P，222N)上方形成第一应力诱发层(230)；实施蚀刻制程，用于将该第一应力诱发层(230)自该第二导线(222N)上方移除，同时保留该第一导线(222P)上方的该第一应力诱发层；于该第二导线(222N)上以及于经保留于该第一导线(222P)上方的第一应力诱发层(230)上形成第二应力诱发层(240)；自该第一导线(222P)上方选择性地移除该第二应力诱发层(240)及该第一应力诱发层(230)的材料；以及于该第一及第二导线(222P，222N)上方形成至少一层进一步应力诱发层(235)，该至少一层进一步应力诱发层(235)与该第一应力诱发层(230)诱发相同类型的应力。