发明名称 |
在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法和装置 |
摘要 |
本发明涉及用于制备颗粒状多晶硅的方法,其中使包含气态硅化合物的反应气体于600至1100℃的反应温度下在具有热表面的流化床反应器内在借助于流化气体流化形成流化床的硅颗粒上作为硅金属沉积,将具有沉积硅的颗粒以及未反应的反应气体和流化气体从该反应器除去,包含99.5至95摩尔%氢气和0.5至5摩尔%气态硅化合物的气体组合物存在于该反应器的表面上,且该反应器的表面的温度为700至1400℃,该温度相当于该硅颗粒的温度或者高于该硅颗粒的温度。 |
申请公布号 |
CN101258105B |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN200680032961.4 |
申请日期 |
2006.09.04 |
申请人 |
瓦克化学股份公司 |
发明人 |
H·赫特莱因;R·豪斯维特 |
分类号 |
C01B33/029(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/029(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
过晓东 |
主权项 |
用于制备颗粒状多晶硅的方法,其中在具有热表面的流化床反应器内使包含气态硅化合物的反应气体于600至1100℃的反应温度下作为硅金属沉积在借助于流化气体流化形成流化床的硅颗粒上,将该具有沉积硅的颗粒以及未反应的反应气体和流化气体从该反应器中除去,包含95至99.5摩尔%氢气和0.5至5摩尔%气态硅化合物的气体组合物存在于该反应器的表面上,且该反应器的表面的温度为700至1400℃,该温度相当于该硅颗粒的温度或者高于该硅颗粒的温度。 |
地址 |
德国慕尼黑 |