发明名称 具有气体混合的离子源的效能改良与生命期延长的技术
摘要 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中,所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(206)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
申请公布号 CN101681782B 申请公布日期 2012.03.07
申请号 CN200880015524.0 申请日期 2008.03.18
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 阿塔尔·古普塔
分类号 H01J37/08(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01J27/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I 主分类号 H01J37/08(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种使离子注入机中的离子源的效能改良及生命期延长的方法,所述方法包含:将预定量的掺杂气体导入离子源腔室,其中所述掺杂气体包含第一协同物质与掺杂物质;及将预定量的稀释气体导入所述离子源腔室,其中所述稀释气体稀释所述掺杂气体以改良所述离子源的效能并延长所述离子源的生命期,其中所述稀释气体包含第二协同物质与所述掺杂物质。
地址 美国麻萨诸塞州