发明名称 |
TFT阵列基板及液晶面板 |
摘要 |
本发明公开了一种TFT阵列基板,其包括多条数据线及多条栅极线,该多条数据线与该多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域,该像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容,所述像素电极设置在所述像素区域内,所述薄膜晶体管设置在数据线与栅极线的交界重叠处,存储电容设于所述栅极线上。本发明还提供了一种包括上述TFT阵列基板的液晶面板。本发明通过将薄膜晶体管设置于数据线与栅极线的交界重叠处,无须减少栅极线及数据线的布线而有效地提高了液晶显示器的开口率。而且,将存储电容设置在栅极线上,可以进一步提高开口率。 |
申请公布号 |
CN102368499A |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN201110331872.2 |
申请日期 |
2011.10.27 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
覃事建 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
代理人 |
胡海国 |
主权项 |
一种薄膜晶体管TFT阵列基板,其包括多条数据线及多条栅极线,所述多条数据线与所述多条栅极线相互垂直设置并形成多个像素区域,所述像素区域包括像素电极、薄膜晶体管及存储电容,所述像素电极设置在所述像素区域内,其特征在于,所述薄膜晶体管设置在所述数据线与所述栅极线的交界重叠处,所述存储电容设于所述栅极线上。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |