发明名称 |
半导体装置的制造方法及半导体装置 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。该半导体装置的制造方法是制造包括具有薄膜晶体管的薄膜器件部和设置在薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部的半导体装置的方法,包括:准备基板的第一步骤、在基板上直接贴合周围器件部的第二步骤以及在已贴合了周围器件部的基板上形成薄膜器件部的第三步骤。 |
申请公布号 |
CN101874289B |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN200880117656.4 |
申请日期 |
2008.07.24 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
富安一秀;高藤裕;福岛康守;中川和男 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市隆安律师事务所 11323 |
代理人 |
权鲜枝 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,该半导体装置包括薄膜器件部和设置在该薄膜器件部的周围并具有半导体元件的周围器件部,其特征在于:包括:第一步骤,准备基板,第二步骤,在所述基板上直接贴合周围器件部,第三步骤,在已贴合了所述周围器件部的基板上形成薄膜器件部,第四步骤,在所述第三步骤之后,在所述薄膜器件部、形成于所述薄膜器件部和所述周围器件部之间的台阶部及所述周围器件部形成平坦化膜,以及第五步骤,将所述平坦化膜仅留下与所述台阶部对应的区域,并利用蚀刻将除此之外的区域的平坦化膜去除。 |
地址 |
日本大阪府 |