| 发明名称 | 带有规整填料的物质交换设备 | ||
| 摘要 | 一种吸收器或解吸器包含用于规整填料的第一层(10)，第一层(10)具有波形的轮廓，其中，通过该波形的轮廓构造多个敞开的通道(12，14，16)，其中，通道包括第一波谷(22)、第一波峰(32)以及第二波峰(42)。第一波峰(32)和第二波峰(42)限制第一波谷(22)，其中，第一和第二波峰具有第一顶部(33)和第二顶部(43)。在第一波峰(32)的第一顶部(33)上构造有在第一顶部(33)的方向上延伸的凹口(34)。第一波谷(22)具有谷底(23)，其中，凹口(34)的至少一个点到波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(27)小于第一顶部(33)到波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(28)。 | ||
| 申请公布号 | CN102369056A | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN201080012631.5 | 申请日期 | 2010.03.17 |
| 申请人 | 苏舍化学技术有限公司 | 发明人 | I·奥斯纳;M·迪斯;R·普吕斯 |
| 分类号 | B01J19/32(2006.01)I | 主分类号 | B01J19/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 严志军;杨国治 |
| 主权项 | 一种吸收器或解吸器，包含用于规整填料的第一层(10)，所述第一层(10)具有第一波形的轮廓，其中，通过所述第一波形的轮廓构造多个敞开的通道(12，14，16)，其中，所述通道包括第一波谷(22)、第一波峰(32)以及第二波峰(42)，其中，所述第一波峰(32)和所述第二波峰(42)限制所述第一波谷(22)，其中，所述第一和所述第二波峰具有第一顶部(33)和第二顶部(43)，其特征在于，在所述第一波峰(32)的第一顶部(33)上构造有在所述第一顶部(33)的方向上延伸的凹口(34)，其中，所述第一波谷(22)具有谷底(23)，其中，所述凹口(34)的至少一个点到所述波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(27)小于所述第一顶部(33)到所述波谷(22)的谷底(23)的垂直间距(28)，其中，设置有第二层(100)，其中，所述第二层(100)具有第二波形的轮廓，其中，如此布置所述第一层(10)和所述第二层(100)，即，使得所述第一层(10)的通道与所述第二层(100)的通道交叉，其中，所述第一层(10)和所述第二层(100)处于触碰的接触中，其特征在于，所述触碰的接触在所述凹口(24，34，44)的区域中中断。 | ||
| 地址 | 瑞士温特图尔 | ||