具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法

摘要

一种具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法，所述半导体晶片上制作有半导体器件，在制作金属间介电层和金属互连层的工艺中包括至少一次回火处理步骤，提高金属间介电层和金属互连层的原子活动能力，增加其延展性，相应降低应力，使得半导体晶片获得低翘曲度的效果。

主权项

一种具有低翘曲度的半导体晶片的制作方法，所述半导体晶片上制作有半导体器件，所述半导体器件包括金属互连层，其特征在于：所述制作方法包括：对金属互连层进行一次回火处理；所述回火的工艺条件为300℃‑‑600℃，持续20分钟‑‑90分钟；形成镶嵌于金属间介电层中的金属互连层；其中所述金属间介电层包括富氧二氧化硅层和氟掺杂的氧化硅玻璃层，所述制作方法包括：富氧二氧化硅淀积步骤和氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积步骤，所述富氧二氧化硅淀积工艺和氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积工艺之间包括对等待时间进行管控的步骤，所述针对等待时间的规定时限为小于等于10小时；所述对等待时间进行管控的步骤包括：针对等待时间设定一个规定时限，并在半导体晶片上标示出所述规定时限；当完成富氧二氧化硅淀积工艺后开始计时；当计时的结果为超出所述规定时限但仍未进行氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积工艺时，产生提示信息，并提高所述半导体晶片的优先级；其中，当开始进行氟掺杂的氧化硅玻璃层淀积工艺时则停止计时。